在半導體國產化浪潮與地緣政治博弈的雙重驅動下，國內電子特氣行業迎來關鍵突破。近日，華特氣體、南大光電等頭部企業宣布，其自主研發的28nm制程用電子特氣產品已通過中芯國際、長江存儲等頭部晶圓廠驗證，標志著國產氣體正式進入先進制程供應鏈體系，為半導體產業鏈自主可控再添關鍵拼圖。

技術攻堅：突破“芯片血液”純度壁壘

電子特氣被稱為“芯片血液”，在光刻、刻蝕、離子注入等關鍵工藝中不可或缺。以28nm制程為例，其所需的高純三氯化硼、六氟乙烷等氣體純度需達到6N級（99.9999%），雜質含量控制在ppb（十億分之一）級別。此前，這類氣體長期被美國空氣化工、法國液化空氣等國際巨頭壟斷，國內企業僅能供應中低端產品。

驗證突破：從“可用”到“好用”的質變

頭部晶圓廠對氣體供應商的認證周期長達18-24個月，需通過穩定性、兼容性、良率提升等數十項指標考核。此次國產氣體通過驗證，不僅意味著技術參數達標，更在產線實際運行中展現出顯著優勢：

• 華特氣體的28nm光刻氣產品（Ar/Ne/Xe混合氣）已批量供應中芯國際，使光刻環節缺陷率降低15%；
• 南大光電的配套稀釋劑實現完全自供，助力客戶產線氦氣成本年節約超800萬元；
• 晶合集成在28nm邏輯芯片驗證中，采用國產特氣使刻蝕均勻性提升8%，為后續量產奠定基礎。

市場重構：國產替代進入“快車道”

據SEMI數據，2025年中國電子特氣市場規模將達230億元，占全球60%份額。政策與資本的雙重加持下，行業正加速從“進口依賴”向“自主可控”轉型：

• 政策端：國家發改委《關于加快電子特氣產業高質量發展的指導意見》明確提出，到2030年產業規模突破千億元，對高純氯氣純化裝置等關鍵設備給予30%投資補貼；
• 資本端：2024年以來，南大光電、凱美特氣等企業累計融資超50億元，用于擴建年產45噸前驅體、7200噸電子級三氧化氫等項目；
• 市場端：國產氣體在28nm及以上制程的滲透率已從2020年的15%提升至2025年的42%，在顯示驅動芯片、CIS圖像傳感器等領域實現“強替代”。

未來展望：從“追趕”到“定義”的戰略躍遷

盡管國產電子特氣已取得階段性突破，但高端領域仍面臨挑戰：

• 技術短板：7nm以下制程所需的超純氣體（9N級）仍依賴進口，膜分離、吸氣劑等核心技術有待突破；
• 供應鏈韌性：氖氣、氦氣等稀有氣體受地緣政治影響波動劇烈，需加快國內氖氣提純、氦氣回收等技術研發；
• 生態協同：需加強與設備商、晶圓廠的聯合攻關，構建“材料-設備-工藝”一體化創新體系。

業內專家指出，隨著28nm制程用氣體的規模化應用，國產電子特氣將逐步向更先進制程延伸。南大光電等企業已啟動EUV光刻膠預研項目，計劃2026年聯合中芯國際測試；昊華科技正在研發5N級高純鍺烷，瞄準第三代半導體市場。在“安全可控”成為產業核心訴求的背景下，電子特氣的國產替代正從“單點突破”邁向“全鏈自主”的新階段。